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DN3535N8-G

DN3535N8-G
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Référence DN3535N8-G
Fabricant Micrel / Microchip Technology
La description MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 98616 pcs
Référence Prix
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Référence DN3535N8-G Fabricant Micrel / Microchip Technology
La description MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 98616 pcs Fiche technique DN3535
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id -
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 150mA, 0V Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-243AA
Autres noms DN3535N8-GCT Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V type de FET N-Channel
Fonction FET Depletion Mode Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V
Tension drain-source (Vdss) 350V Description détaillée N-Channel 350V 230mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 230mA (Tj)

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  • Partie#:DN30-50P(50)
  • Fabricant:Hirose
  • La description:CONN D-TYPE PLUG 50POS STR IDC
  • En stock:6883
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