ES1B-TP
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| Référence | ES1B-TP |
|---|---|
| Fabricant | Micro Commercial Co |
| La description | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.031 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ES1B-TP | Fabricant | Micro Commercial Co |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 724317 pcs | Fiche technique | ES1A - ES1M |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A | Tension - Ventilation | DO-214AC (HSMA) |
| Séries | - | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-214AC, SMA | Autres noms | ES1B-TPTR |
| Température d'utilisation - Jonction | 50ns | Type de montage | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks | Référence fabricant | ES1B-TP |
| Description élargie | Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (HSMA) | Configuration diode | 5µA @ 100V |
| La description | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Courant - fuite, inverse à Vr | 975mV @ 1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100V | Capacité à Vr, F | -50°C ~ 150°C |
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