GS1M-TP
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| Référence | GS1M-TP |
|---|---|
| Fabricant | Micro Commercial Components (MCC) |
| La description | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.145 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | GS1M-TP | Fabricant | Micro Commercial Components (MCC) |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 137405 pcs | Fiche technique | GS1A - GS1M |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 1000V | Package composant fournisseur | DO-214AC (HSMA) |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Séries | - |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | DO-214AC, SMA |
| Autres noms | GS1M-TPCT | Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Standard | Description détaillée | Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (HSMA) |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 1000V | Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |
| Capacité à Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | Numéro de pièce de base | GS1M |
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