MR756-BP
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| Référence | MR756-BP |
|---|---|
| Fabricant | Micro Commercial Co |
| La description | DIODE GEN 600V 6A LEADED BUTTON |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MR756-BP | Fabricant | Micro Commercial Co |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN 600V 6A LEADED BUTTON | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5445 pcs | Fiche technique | MR750-MR7510 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 6A | Tension - Ventilation | Leaded Button |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | Button, Axial | Autres noms | MR756-BPMS |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | MR756-BP | Description élargie | Diode Standard 600V 6A Through Hole Leaded Button |
| Configuration diode | 25µA @ 600V | La description | DIODE GEN 600V 6A LEADED BUTTON |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 900mV @ 6A | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V |
| Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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