EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
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| Référence | EDB1316BDBH-1DAAT-F-D |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology |
| La description | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.597 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EDB1316BDBH-1DAAT-F-D | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 14815 pcs | Fiche technique | EDB1316BD, 1332BD, 2432B4 |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 1.14 V ~ 1.95 V | La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Package composant fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 134-VFBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) | Fréquence d'horloge | 533MHz |
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