EDFP112A3PB-GD-F-R TR
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| Référence | EDFP112A3PB-GD-F-R TR |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology |
| La description | IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | EDFP112A3PB-GD-F-R TR | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4616 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 1.14 V ~ 1.95 V | La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Séries | - | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Autres noms | EDFP112A3PB-GD-F-R TR-ND EDFP112A3PB-GD-F-RTR |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TA) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 24Gb (192M x 128) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 800MHz | Fréquence d'horloge | 800MHz |
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