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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > JS28F256M29EWHB TR

JS28F256M29EWHB TR

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Référence JS28F256M29EWHB TR
Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 23001 pcs
Référence Prix
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Référence JS28F256M29EWHB TR Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 23001 pcs Fiche technique M29EW 256MB, 2GB
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 110ns
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V La technologie FLASH - NOR
Package composant fournisseur 56-TSOP (14x20) Séries -
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Autres noms JS28F256M29EWHB
JS28F256M29EWHB TR-ND
JS28F256M29EWHBTR		 Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Non-Volatile Taille mémoire 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 110ns 56-TSOP (14x20)
Numéro de pièce de base JS28F256 Temps d'accès 110ns

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