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MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

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Référence MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 128G PARALLEL WAFER
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 128G PARALLEL WAFER État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5290 pcs Fiche technique
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V La technologie FLASH - NAND
Séries - Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 128Gb (16G x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire FLASH Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) Parallel

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