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MT29F4G08ABADAWP:D

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Référence MT29F4G08ABADAWP:D
Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 18550 pcs
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Référence MT29F4G08ABADAWP:D Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 18550 pcs Fiche technique
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V La technologie FLASH - NAND
Séries - Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 4Gb (512M x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire FLASH Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

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