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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F4G16ABBEAH4:E TR

MT29F4G16ABBEAH4:E TR

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Référence MT29F4G16ABBEAH4:E TR
Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 25882 pcs
Référence Prix
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Référence MT29F4G16ABBEAH4:E TR Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 25882 pcs Fiche technique
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V La technologie FLASH - NAND
Package composant fournisseur 63-VFBGA (9x11) Séries -
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 63-VFBGA
Autres noms MT29F4G16ABBEAH4:E TR-ND
MT29F4G16ABBEAH4:ETR		 Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Non-Volatile Taille mémoire 4Gb (256M x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 63-VFBGA (9x11)
Numéro de pièce de base MT29F4G16

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