MT40A512M8RH-083E:B

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| Référence | MT40A512M8RH-083E:B |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology |
| La description | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.757 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MT40A512M8RH-083E:B | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5717 pcs | Fiche technique | MT40A1G4, 512M8, 256M16 |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 1.14 V ~ 1.26 V | La technologie | SDRAM - DDR4 |
| Package composant fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 78-TFBGA |
| Autres noms | 557-1749 MT40A512M8RH-083E:B-ND |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Description détaillée | SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5) |
| Fréquence d'horloge | 1.2GHz |
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- Partie#:
5231TR - Fabricant:
Keystone Electronics Corp. - La description:
CONTACT BATT A/AA/9V 12MM SMD - En stock:
178270
