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MT46V128M4TG-75E:D

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Référence MT46V128M4TG-75E:D
Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4334 pcs
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Référence MT46V128M4TG-75E:D Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4334 pcs Fiche technique
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Tension - Alimentation 2.3 V ~ 2.7 V La technologie SDRAM - DDR
Package composant fournisseur 66-TSOP Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 4 (72 Hours) Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 512Mb (128M x 4) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire DRAM Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 133MHz 750ps 66-TSOP Fréquence d'horloge 133MHz
Numéro de pièce de base MT46V128M4 Temps d'accès 750ps

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