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MT46V16M16TG-5G:F

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Référence MT46V16M16TG-5G:F
Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 9334 pcs
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Référence MT46V16M16TG-5G:F Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 9334 pcs Fiche technique MT46V64M4, 32M8, 16M16 Rev G,F,K
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Tension - Alimentation 2.5 V ~ 2.7 V La technologie SDRAM - DDR
Package composant fournisseur 66-TSOP Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 2 (1 Year) Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 256Mb (16M x 16) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire DRAM Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP Fréquence d'horloge 200MHz
Numéro de pièce de base MT46V16M16 Temps d'accès 700ps

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