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MT47H32M16HR-3:G

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Référence MT47H32M16HR-3:G
Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 20917 pcs
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Référence MT47H32M16HR-3:G Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 20917 pcs Fiche technique MT47Hxx(x)M4/8/16
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V La technologie SDRAM - DDR2
Package composant fournisseur 84-FBGA (8x12.5) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 84-TFBGA
Température de fonctionnement 0°C ~ 85°C (TC) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 512Mb (32M x 16) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire DRAM Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-FBGA (8x12.5) Fréquence d'horloge 333MHz
Numéro de pièce de base MT47H32M16 Temps d'accès 450ps

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