1N3611
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| Référence | 1N3611 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.498 | $2.247 | $1.848 | $1.548 | $1.348 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 1N3611 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 23468 pcs | Fiche technique | 1N36xx,1N3957 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 200V | La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | A, Axial | Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Type de diode | Standard | Description détaillée | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1µA @ 200V | Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |
| Capacité à Vr, F | - | Numéro de pièce de base | 1N3611 |
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