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Référence 1N4149
Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 64264 pcs
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Référence 1N4149 Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 64264 pcs Fiche technique 1N4149,51,54;1N4446-1N4449
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1V @ 10mA
Tension - inverse (Vr) (max) 75V Package composant fournisseur DO-35
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 4ns Emballage Bulk
Package / Boîte DO-204AH, DO-35, Axial Autres noms 1N4149MS
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35 Courant - fuite, inverse à Vr 20nA @ 20V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 200mA Capacité à Vr, F -

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  • Partie#:1N4150-1
  • Fabricant:Microsemi
  • La description:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • En stock:59748
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