1N485
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| Référence | 1N485 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| La description | DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 225 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.679 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 1N485 | Fabricant | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 19425 pcs | Fiche technique | 1N485(A,B) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 100mA (DC) | Tension - Ventilation | DO-7 |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-204AA, DO-7, Axial | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | 1N485 |
| Description élargie | Diode Standard 180V 100mA (DC) Through Hole DO-7 | Configuration diode | 25nA @ 180V |
| La description | DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 | Courant - fuite, inverse à Vr | 1V @ 100mA |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 180V | Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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