1N5620
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| Référence | 1N5620 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.441 | $2.196 | $1.805 | $1.513 | $1.317 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 1N5620 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 25005 pcs | Fiche technique | 1N5615 - 1N5623 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.3V @ 3A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 800V | La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - | Temps de recouvrement inverse (trr) | 2µs |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | A, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 200°C | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 800V 1A Through Hole | Courant - fuite, inverse à Vr | 500nA @ 800V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A | Capacité à Vr, F | - |
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