1N6074
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| Référence | 1N6074 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.223 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 1N6074 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 6293 pcs | Fiche technique | 1N6073-81 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 2.04V @ 9.4A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 100V | La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - | Temps de recouvrement inverse (trr) | 30ns |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | A, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 155°C | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 100V 850mA Through Hole | Courant - fuite, inverse à Vr | 1µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 850mA | Capacité à Vr, F | - |
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