1N6080
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| Référence | 1N6080 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $16.224 | $15.173 | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 1N6080 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 2076 pcs | Fiche technique | 1N6073-81 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.5V @ 37.7A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 100V | La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - | Temps de recouvrement inverse (trr) | 30ns |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | A, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 155°C | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Type de diode | Standard | Description détaillée | Diode Standard 100V 2A Through Hole |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 100V | Courant - Rectifié moyenne (Io) | 2A |
| Capacité à Vr, F | - |
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