1N649UR-1
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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| Référence | 1N649UR-1 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 224 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.671 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 1N649UR-1 | Fabricant | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 18199 pcs | Fiche technique | 1N647UR-1 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 400mA | Tension - Ventilation | DO-213AA |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-213AA (Glass) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
| Référence fabricant | 1N649UR-1 | Description élargie | Diode Standard 600V 400mA Surface Mount DO-213AA |
| Configuration diode | 50nA @ 600V | La description | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1V @ 400mA | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V |
| Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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