2003
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| Référence | 2003 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2003 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5992 pcs | Fiche technique | 2003 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | 55BT-1 |
| Séries | - | Puissance - Max | 12W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | 55BT-1 |
| Autres noms | 2003MS | Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gain | 8.5dB | Fréquence - Transition | 2GHz |
| Description détaillée | RF Transistor NPN 50V 500mA 2GHz 12W Chassis Mount 55BT-1 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 100mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |
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