2N2222AE3
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| Référence | 2N2222AE3 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | SMALL-SIGNAL BJT |
| État sans plomb / État RoHS | Conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N2222AE3 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | SMALL-SIGNAL BJT | État sans plomb / État RoHS | Conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4311 pcs | Fiche technique | 2N2221A, 22A(L,UA,UB,UBC) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-18 | Séries | - |
| Statut RoHS | RoHS Compliant | Puissance - Max | 500mW |
| Package / Boîte | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 800mA |
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