2N2896
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| Référence | 2N2896 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | BJTS |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.678 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | 2N2896 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | BJTS | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 4450 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 90V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 15mA, 150mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-18 | Séries | - |
| Puissance - Max | 1.8W | Package / Boîte | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Autres noms | 2N2896MS | Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Through Hole | Fréquence - Transition | 120MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 1A 120MHz 1.8W Through Hole TO-18 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 150mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
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