2N3636UB
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| Référence | 2N3636UB |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS PNP 175V 1A |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.463 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N3636UB | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PNP 175V 1A | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5475 pcs | Fiche technique | 2N3634-37(L,UB) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 175V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA | Transistor Type | PNP |
| Package composant fournisseur | 3-SMD | Séries | - |
| Puissance - Max | 1.5W | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | 3-SMD, No Lead | Autres noms | 1086-20886 1086-20886-MIL |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1.5W Surface Mount 3-SMD | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10µA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
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