2N3810U
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| Référence | 2N3810U |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $12.439 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N3810U | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 3139 pcs | Fiche technique | 2N3810(L,U), 2N3811(L,U) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA | Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur | TO-78-6 | Séries | - |
| Puissance - Max | 350mW | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-78-6 Metal Can | Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA |
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