2N4449UB
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| Référence | 2N4449UB |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | NPN TRANSISTOR |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.71 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N4449UB | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | NPN TRANSISTOR | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 3489 pcs | Fiche technique | 2N2369A, 2N4449 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | UB | Séries | Military, MIL-PRF-19500/317 |
| Puissance - Max | 360mW | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | - | Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 18 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 360mW Surface Mount UB |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 400nA |
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