2N5097
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| Référence | 2N5097 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANSISTOR NPN TO-5 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | 2N5097 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANSISTOR NPN TO-5 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4691 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-5 | Séries | - |
| Puissance - Max | 4W | Package / Boîte | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Température de fonctionnement | - | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 1A 4W Through Hole TO-5 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
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