2N6849
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| Référence | 2N6849 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N6849 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4918 pcs | Fiche technique | 2N6849 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-39 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | TO-205AF Metal Can |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Tc) |
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