2N7334
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| Référence | 2N7334 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| La description | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N7334 | Fabricant | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4569 pcs | Fiche technique | 2N7334 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | - |
| Tension - Ventilation | MO-036AB | Vgs (th) (Max) @ Id | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1A | Puissance - Max | 1.4W |
| Polarisation | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | 2N7334 | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60nC @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA | Fonction FET | 4 N-Channel |
| Description élargie | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB | Tension drain-source (Vdss) | Standard |
| La description | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100V |
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- Partie#:
523-93-084-12-051001 - Fabricant:
Mill-Max - La description:
SKT PGA WRAPOST - En stock:
2826