APT100GN60LDQ4G

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Référence	APT100GN60LDQ4G
Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 600V 229A 625W TO264
État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS

~~In Stock~~ 8250 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	1 pcs	10 pcs	25 pcs	100 pcs	250 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	$5.799	$5.271	$4.876	$4.481	$4.085

Paramètre de produit
Fiche technique

Product parameter

Référence	APT100GN60LDQ4G	Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 600V 229A 625W TO264	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	8250 pcs	Fiche technique	Power Products Catalog APT100GN60LDQ4(G)
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets	Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 100A	Condition de test	400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	31ns/310ns	énergie de commutation	4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Package composant fournisseur	TO-264 [L]	Séries	-
Puissance - Max	625W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-264-3, TO-264AA	Autres noms	APT100GN60LDQ4GMI APT100GN60LDQ4GMI-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	gate charge	600nC
Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	300A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	229A

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