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APT17F80S

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Référence APT17F80S
Fabricant Microsemi
La description MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5959 pcs
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Référence APT17F80S Fabricant Microsemi
La description MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5959 pcs Fiche technique APT17F80B/S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D3Pak Séries POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 580 mOhm @ 9A, 10V Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3757pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 800V
Description détaillée N-Channel 800V 18A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)

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