APT23F60B
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
Voir les spécifications du produit pour les détails du produit.
Acheter APT23F60B avec confiance en Components-World.HK, garantie de 1 an
Voir les spécifications du produit pour les détails du produit.
Acheter APT23F60B avec confiance en Components-World.HK, garantie de 1 an
Demander un devis
| Référence | APT23F60B |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT23F60B | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4516 pcs | Fiche technique | Power Products CatalogAPT23F60B/S |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 [B] | Séries | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 415W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4415pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 24A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B] | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
- Produits connexes
- Nouvelles connexes
Produits connexes
- Partie#:
APT20SCD120B - Fabricant:
Microsemi - La description:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A - En stock:
5545
- Partie#:
APT22F100J - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227 - En stock:
2829
- Partie#:
APT20SCD65K - Fabricant:
Microsemi - La description:
DIODE SILICON 650V 32A TO220 - En stock:
4639
- Partie#:
APT25GLQ120JCU2 - Fabricant:
Microsemi - La description:
PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 - En stock:
3531
- Partie#:
APT21M100J - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 - En stock:
3183
- Partie#:
APT24M120B2 - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX - En stock:
4983
- Partie#:
APT22F120L - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 - En stock:
5136
- Partie#:
APT25GN120B2DQ2G - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 1200V 67A 272W TMAX - En stock:
10010
- Partie#:
APT20SCD120S - Fabricant:
Microsemi - La description:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK - En stock:
5323
- Partie#:
APT24M120L - Fabricant:
Microsemi Corporation - La description:
MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 - En stock:
7180
- Partie#:
APT22F120B2 - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX - En stock:
4055
- Partie#:
APT25GF120JCU2 - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 - En stock:
5412
- Partie#:
APT20N60SC3G - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK - En stock:
4052