APT30SCD120S
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| Référence | APT30SCD120S |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $10.251 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT30SCD120S | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 3488 pcs | Fiche technique | APT30SCD120B/S |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.8V @ 30A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 1200V | Package composant fournisseur | D3Pak |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0ns | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 99A (DC) Surface Mount D3Pak | Courant - fuite, inverse à Vr | 600µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 99A (DC) | Capacité à Vr, F | 2100pF @ 0V, 1MHz |
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