APT45GR65SSCD10
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| Référence | APT45GR65SSCD10 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | APT45GR65SSCD10 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5179 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A | Condition de test | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 15ns/100ns | Package composant fournisseur | D3Pak |
| Séries | - | Temps de recouvrement inverse (trr) | 80ns |
| Puissance - Max | 543W | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | NPT | gate charge | 203nC |
| Description détaillée | IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak | Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 224A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 118A |
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