APT6010B2LLG
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| Référence | APT6010B2LLG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $10.269 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT6010B2LLG | Fabricant | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 3847 pcs | Fiche technique | APT6010(B2,L)LL(G) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 6710pF @ 25V |
| Tension - Ventilation | T-MAX™ [B2] | Vgs (th) (Max) @ Id | 100 mOhm @ 27A, 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Séries | POWER MOS 7® |
| État RoHS | Tube | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54A (Tc) |
| Polarisation | TO-247-3 Variant | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | APT6010B2LLG | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150nC @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5V @ 2.5mA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 600V |
| Ratio de capacité | 690W (Tc) |
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