APT75F50B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
Voir les spécifications du produit pour les détails du produit.
Acheter APT75F50B2 avec confiance en Components-World.HK, garantie de 1 an
Voir les spécifications du produit pour les détails du produit.
Acheter APT75F50B2 avec confiance en Components-World.HK, garantie de 1 an
Demander un devis
| Référence | APT75F50B2 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 60 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.126 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT75F50B2 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5270 pcs | Fiche technique | APT75F50B2,50L |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | T-MAX™ [B2] | Séries | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 1040W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 Variant |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 21 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 500V | Description détaillée | N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
- Produits connexes
- Nouvelles connexes
Produits connexes
- Partie#:
APT75GN120J - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - En stock:
4849
- Partie#:
APT75GN120JDQ3G - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - En stock:
5574
- Partie#:
APT75GN120B2G - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 1200V 200A 833W TMAX - En stock:
6228
- Partie#:
APT75DL120HJ - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOD DIODE 1200V SOT-227 - En stock:
4864
- Partie#:
APT70GR65B2SCD30 - Fabricant:
Microsemi - La description:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - En stock:
5487
- Partie#:
APT75DF170HJ - Fabricant:
Microsemi - La description:
MOD DIODE 1700V SOT-227 - En stock:
3320
- Partie#:
APT75GN60B2DQ3G - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - En stock:
5086
- Partie#:
APT75GP120B2G - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX - En stock:
3990
- Partie#:
APT75DQ100BG - Fabricant:
Microsemi Corporation - La description:
DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 - En stock:
23286
- Partie#:
APT75GN60BG - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 600V 155A 536W TO247 - En stock:
21546
- Partie#:
APT75GN120JDQ3 - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - En stock:
4478
- Partie#:
APT75GN120LG - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 1200V 200A 833W TO264 - En stock:
7890
- Partie#:
APT75DQ60BG - Fabricant:
Microsemi - La description:
DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 - En stock:
36120
- Partie#:
APT75DQ120BG - Fabricant:
Microsemi - La description:
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 - En stock:
30592
- Partie#:
APT75GN60LDQ3G - Fabricant:
Microsemi - La description:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - En stock:
11814