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APT80GA60LD40

APT80GA60LD40
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Référence APT80GA60LD40
Fabricant Microsemi
La description IGBT 600V 143A 625W TO264
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 9433 pcs
Référence Prix
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Référence APT80GA60LD40 Fabricant Microsemi
La description IGBT 600V 143A 625W TO264 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 9433 pcs Fiche technique APT80GA60LD40
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 47A Condition de test 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/158ns énergie de commutation 840µJ (on), 751µJ (off)
Package composant fournisseur TO-264 Séries POWER MOS 8™
Temps de recouvrement inverse (trr) 22ns Puissance - Max 625W
Emballage Tube Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT PT gate charge 230nC
Description détaillée IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 143A

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