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APTGT50A170D1G

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Référence APTGT50A170D1G
Fabricant Microsemi
La description IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4590 pcs
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Référence APTGT50A170D1G Fabricant Microsemi
La description IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4590 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Package composant fournisseur D1
Séries - Puissance - Max 310W
Package / Boîte D1 Température de fonctionnement -
NTC thermistance No Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Contribution Standard
type de IGBT Trench Field Stop Description détaillée IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 70A 310W Chassis Mount D1
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 6mA Courant - Collecteur (Ic) (max) 70A
Configuration Half Bridge

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