APTGTQ200DA65T3G
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| Référence | APTGTQ200DA65T3G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | POWER MODULE - IGBT |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $17.816 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTGTQ200DA65T3G | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | POWER MODULE - IGBT | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 2182 pcs | Fiche technique | APTGTQ200DA65T3G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A | Package composant fournisseur | SP3F |
| Séries | - | Puissance - Max | 483W |
| Package / Boîte | Module | Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC thermistance | Yes | Type de montage | Chassis Mount |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 12nF @ 25V |
| Contribution | Standard | type de IGBT | - |
| Description détaillée | IGBT Module Boost Chopper 650V 200A 483W Chassis Mount SP3F | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 200µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200A | Configuration | Boost Chopper |
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