APTM100A13SCG
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| Référence | APTM100A13SCG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $91.241 | $86.838 | $83.692 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTM100A13SCG | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 408 pcs | Fiche technique | APTM100A13SCG |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
| Package composant fournisseur | SP6 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 32.5A, 10V | Puissance - Max | 1250W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP6 |
| Autres noms | APTM100A13SCGMI APTM100A13SCGMI-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 65A |
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