APTM100H80FT1G
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| Référence | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTM100H80FT1G | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4238 pcs | Fiche technique | APTM100H80FT1GPower Products Catalog |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Package composant fournisseur | SP1 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 9A, 10V | Puissance - Max | 208W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP1 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3876pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) | Description détaillée | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A |
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