APTM50DDAM65T3G
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| Référence | APTM50DDAM65T3G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $21.317 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTM50DDAM65T3G | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1849 pcs | Fiche technique | Power Products CatalogAPTM50DDAM65T3G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Package composant fournisseur | SP3 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 25.5A, 10V | Puissance - Max | 390W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Standard | Tension drain-source (Vdss) | 500V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 51A |
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