JAN1N3611
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| Référence | JAN1N3611 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 129 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.906 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | JAN1N3611 | Fabricant | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 10396 pcs | Fiche technique | 1N36xx,1N3957 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A | Séries | Military, MIL-PRF-19500/228 |
| État RoHS | Bulk | Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F | - | Polarisation | A, Axial |
| Autres noms | 1086-1996 1086-1996-MIL |
Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
| Référence fabricant | JAN1N3611 | Description élargie | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
| Configuration diode | 100µA @ 300V | La description | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 1A | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200V |
| Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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