JAN1N5551US
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| Référence | JAN1N5551US |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.032 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | JAN1N5551US | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 7502 pcs | Fiche technique | 1N5550US thru 1N5554US |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.2V @ 9A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 400V | Package composant fournisseur | D-5B |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Séries | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 2µs | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | SQ-MELF, B | Autres noms | 1086-19412 1086-19412-MIL |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 175°C | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B | Courant - fuite, inverse à Vr | 1µA @ 400V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 3A | Capacité à Vr, F | - |
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