JAN1N6630
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| Référence | JAN1N6630 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.591 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | JAN1N6630 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 6688 pcs | Fiche technique | 1N6626-31 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.4V @ 1.4A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 900V | La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | Military, MIL-PRF-19500/590 | Temps de recouvrement inverse (trr) | 50ns |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | E, Axial |
| Autres noms | 1086-19991 1086-19991-MIL |
Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 900V 1.4A Through Hole | Courant - fuite, inverse à Vr | 2µA @ 900V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1.4A | Capacité à Vr, F | - |
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