JAN1N6640US
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| Référence | JAN1N6640US |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | JAN1N6640US | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5695 pcs | Fiche technique | 1N6639US - 1N6641US |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1V @ 300mA |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 50V | Package composant fournisseur | D-5B |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) | Séries | Military, MIL-PRF-19500/609 |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 4ns | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | SQ-MELF, B | Autres noms | 1086-20014 1086-20014-MIL |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 175°C | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Type de diode | Standard | Description détaillée | Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5B |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 100nA @ 50V | Courant - Rectifié moyenne (Io) | 300mA |
| Capacité à Vr, F | - |
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