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JAN2N3636

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Référence JAN2N3636
Fabricant Microsemi
La description TRANS PNP 175V 1A
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5489 pcs
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Référence JAN2N3636 Fabricant Microsemi
La description TRANS PNP 175V 1A État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5489 pcs Fiche technique 2N3634-37(L,UB)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 175V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA Transistor Type PNP
Package composant fournisseur TO-39 Séries Military, MIL-PRF-19500/357
Puissance - Max 1W Emballage Bulk
Package / Boîte TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Autres noms 1086-20880
1086-20880-MIL
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1A

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