JAN2N3960
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| Référence | JAN2N3960 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS NPN 12V TO-18 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | JAN2N3960 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 12V TO-18 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5035 pcs | Fiche technique | 2N3960 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 12V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-18 (TO-206AA) | Séries | Military, MIL-PRF-19500/399 |
| Puissance - Max | 400mW | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | Autres noms | 1086-20938 1086-20938-MIL |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 400mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
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