JAN2N5012S
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| Référence | JAN2N5012S |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | NPN TRANSISTOR |
| État sans plomb / État RoHS | RoHS non conforme |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | JAN2N5012S | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | NPN TRANSISTOR | État sans plomb / État RoHS | RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 5727 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 700V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | TO-39 (TO-205AD) |
| Séries | Military, MIL-PRF-19500/727 | Statut RoHS | RoHS non-compliant |
| Puissance - Max | 1W | Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
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